雙通道固態(tài)硬盤 倒車請注意！
EVO在很多地方有EVOLUTION進(jìn)化的含義，從840Evo開始，使用SLC緩存的三星TLC固態(tài)硬盤型號就一直以EVO作為結(jié)尾，除了性能不濟(jì)的650被剝奪EVO稱號之外，三星最近又推出了取消EVO的850 120G。
雙通道固態(tài)硬盤 圖
除了保修縮水2年之外，三星850 120G依舊配備了3D TLC閃存，主控也是與850Evo一致的型號，從EVO退化而來的850 120G到底有哪些變化，能否還對得起850之名？雙通道固態(tài)硬盤 圖
由于三星有意低調(diào)處理這塊有縮水嫌疑的850系列新成員，自然也不會有主動的宣傳，還好我們可以通過外媒Tom’s Hardware的測驗(yàn)一窺究竟。雙通道固態(tài)硬盤 圖
850 120G延續(xù)了三星風(fēng)格的迷你PCB板，依然是熟悉的MGX主控，不過沒有運(yùn)用750Evo中使用的POP封裝，而是將DRAM緩存又放歸外置的形式。唯一的一顆閃存顆粒編號為K9CKGY8H5A，由于三星早已不外銷顆粒，沒有Datasheet信息，這顆閃存到底為何種制程完全無從得知。不過考慮到它問世的時(shí)間，有理由猜測這是一顆64層堆疊的3D TLC，為滿足國內(nèi)的低端入門市場，逆勢選擇了用新閃存做小容量，也為性能衰退埋下伏筆。雙通道固態(tài)硬盤 圖
三星在軟件優(yōu)化上向來功力深厚，不過即便如此850 120G的性能相比850Evo 120G依然出現(xiàn)顯著的下滑，儲存帶寬表現(xiàn)甚至還不如2D TLC閃存的三星750Evo 120G。而從國內(nèi)京東的定價(jià)來看，三星顯然是想將850打造為比750Evo更高端的形象，但性能相比850Evo的顯著縮水又使得它不得不脫下了EVO的外套，即便性能退步，新850 120G還是比850Evo 120G停產(chǎn)前的價(jià)格要貴。不管是新品還是老型號，性價(jià)比開倒車是最近一年固態(tài)硬盤的共同旋律。雙通道固態(tài)硬盤 圖
850 120G出現(xiàn)性能下滑的原因很簡單：新制程3D閃存的單Die容量提升，不合適制造小容量產(chǎn)品。三星在48層堆疊的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了256Gb的單Die容量，如果850 120G所用閃存真的是新一代64層堆疊工藝的話，單Die容量極有可能已經(jīng)達(dá)到512Gb，這意味著850 120G僅有的一顆閃存顆粒中只封裝有2個(gè)芯片，影響到了并發(fā)讀寫性能的提升?！ ∪沁x擇在中國發(fā)布850 120G，主要是在閃存價(jià)格大漲的背景下填補(bǔ)低端裝機(jī)產(chǎn)品空檔，是總價(jià)妥協(xié)的產(chǎn)物。不過它449的價(jià)格并不美麗，或許只適合對三星品牌有較高認(rèn)同度的人群。120G容量對于當(dāng)前游戲增肥的趨勢來說已顯緊湊，就算不考慮單位容量價(jià)格也該選擇更大的容量以免后悔?！ ∮芯W(wǎng)友說現(xiàn)在的入門級固態(tài)硬盤越來越像優(yōu)盤了，不僅容量像，閃存通道數(shù)量像，山寨品牌干脆就用優(yōu)盤級品質(zhì)的顆粒造固態(tài)。不出意外的話明年3D QLC閃存也會來了，價(jià)格回歸去年水平的目標(biāo)什么時(shí)候才會實(shí)現(xiàn)呢？Q:文檔中提到的以 EVO 結(jié)尾的三星固態(tài)硬盤從什么時(shí)候開始的？
A:從 840Evo 開始，使用 SLC 緩存的三星 TLC 固態(tài)硬盤型號就一直以 EVO 作為結(jié)尾。
Q:為什么 650 被剝奪了 EVO 稱號？
A:文檔中提到因?yàn)樾阅懿粷?jì)。
Q:三星新推出的取消 EVO 的固態(tài)硬盤是哪個(gè)型號？
A:850120G。
Q:網(wǎng)友對現(xiàn)在入門級固態(tài)硬盤有什么看法？
A:網(wǎng)友說現(xiàn)在的入門級固態(tài)硬盤越來越像優(yōu)盤了，不僅容量像，閃存通道數(shù)量像，山寨品牌干脆就用優(yōu)盤級品質(zhì)的顆粒造固態(tài)。
Q:文檔中提到明年可能會有什么？
A:不出意外的話明年 3DQLC 閃存也會來了。
Q:文檔中對價(jià)格回歸有什么期待？
A:文檔提到價(jià)格回歸去年水平的目標(biāo)什么時(shí)候才會實(shí)現(xiàn)呢？
Q:三星固態(tài)硬盤中除了 650 還有哪些型號可能被剝奪 EVO 稱號？
A:文檔中未提及其他可能被剝奪 EVO 稱號的型號。
Q:850120G 相比其他帶 EVO 結(jié)尾的固態(tài)硬盤有什么不同？
A:文檔中未明確提及 850120G 與其他帶 EVO 結(jié)尾的固態(tài)硬盤的不同之處。
Q:3DQLC 閃存來了會對固態(tài)硬盤市場有什么影響？
A:文檔中未提及 3DQLC 閃存對固態(tài)硬盤市場的具體影響。
Q:現(xiàn)在入門級固態(tài)硬盤的閃存通道數(shù)量和優(yōu)盤有哪些相似之處？
A:文檔中僅提到入門級固態(tài)硬盤閃存通道數(shù)量像優(yōu)盤，但未具體說明相似之處。