傳英特爾擬開發(fā)18核Broadwell芯片
英特爾正在為不遠的將來規(guī)劃什么樣的高性能芯片？據(jù)專注于芯片產品的網站Vr-zone報道稱，英特爾未來的Broadwell芯片將整合18個核心；而另一篇報道稱，未來的Broadwell芯片將主打平板電腦市場。 據(jù)報道稱，英特爾未來的18核Broadwell-EP或EX Xeon芯片將采用英特爾未來的14納米生產工藝來生產。 Vr-zone報道稱：“英特爾不會加快芯片的運行速度，而是增加每個芯片上的核心數(shù)量?！? 據(jù)稱，該款18核芯片最早也要等到2015年才能上市。英特爾還計劃研發(fā)供臺式機電腦和工作站使用的8核和10核高性能芯片。 預計首款Broadwell芯片將在明年上半年發(fā)布?，F(xiàn)在核心數(shù)量最多的英特爾芯片擁有12個核心。 如果軟件能夠很好地利用增加的核心的話，增加處理器的核心數(shù)量就可以提高性能。 但那并非英特爾為Broadwell芯片制定的全部計劃。據(jù)《處理器世界》（CPU World）報道稱，在處理器技術研發(fā)的另一端，未來的Broadwell芯片的熱封套可能會低至4.5瓦。 那樣，Broadwell芯片就能夠被用于平板電腦和一體機。英特爾最近一直很關注一體機市場。 英特爾對此未予置評。
評論 (0)