AMD主板硬盤(pán)性能弱？Ryzen平臺(tái)要有改觀(guān)了
有個(gè)關(guān)于硬盤(pán)性能的說(shuō)法由來(lái)已久：AMD主板芯片組磁盤(pán)性能比Intel平臺(tái)差。這個(gè)說(shuō)法在添加了對(duì)NVMeSSD原生支持的Ryzen平臺(tái)上依舊成立嗎？有外媒對(duì)此進(jìn)行了測(cè)驗(yàn)，測(cè)驗(yàn)平臺(tái)為GIGABYTEAorus AX370-Gaming 5主板搭配Ryzen 7 1800X。 測(cè)驗(yàn)的SSD有兩款，分別是電腦IE接口NVMe協(xié)議的SAMSUNG960Evo和SATA接口AHCI協(xié)議的SAMSUNG750Evo，二者都是TLC閃存SSD中跑分較高的型號(hào)。 首先是SAMSUNG960Evo在AMD Ryzen與Intel平臺(tái)上的性能對(duì)比：無(wú)論是持續(xù)讀取還是隨機(jī)讀取性能Intel平臺(tái)表現(xiàn)都遠(yuǎn)高于AMD Ryzen平臺(tái)。 電腦 Mark 8存儲(chǔ)性能測(cè)驗(yàn)也驗(yàn)證了這一點(diǎn)：AMD平臺(tái)下安裝SAMSUNGNVMe驅(qū)動(dòng)，電腦 Mark 8存儲(chǔ)測(cè)驗(yàn)評(píng)分5051，僅有NVMeSSD的中等水平。 而在Intel平臺(tái)上SAMSUNG960Evo配以SAMSUNGNVMe驅(qū)動(dòng)可以跑出5082分的成績(jī)。外媒的測(cè)驗(yàn)中沒(méi)有驗(yàn)證微軟默認(rèn)NVMe驅(qū)動(dòng)下的差異，也有可能是SAMSUNG驅(qū)動(dòng)僅對(duì)Intel平臺(tái)做了優(yōu)化。 AMD銳龍的延遲還是比Intel要高，這是落后的主因。延遲是不能通過(guò)核心和線(xiàn)程數(shù)量來(lái)彌補(bǔ)的。對(duì)于SSD其實(shí)也是一樣，持續(xù)讀寫(xiě)帶寬可以比較容易的通過(guò)RAID來(lái)倍增，但延遲沒(méi)辦法通過(guò)簡(jiǎn)單手段降低。 用SAMSUNG750Evo測(cè)驗(yàn)的SATASSD性能結(jié)果也與NVMe相似，Intel平臺(tái)有較為顯著的優(yōu)勢(shì)。不過(guò)這里由于Intel平臺(tái)運(yùn)用了RST驅(qū)動(dòng)，AMD平臺(tái)卻只能運(yùn)用微軟Win 10默認(rèn)驅(qū)動(dòng)，比較起來(lái)有所不公。 總的來(lái)說(shuō)Ryzen平臺(tái)相比AMD過(guò)去主板的硬盤(pán)性能已有不小的提升，和Intel的差距不再像過(guò)去那樣顯著，家用運(yùn)用體驗(yàn)上不會(huì)有什么感覺(jué)。硬盤(pán)跑分除了和硬盤(pán)自身能力有關(guān)之外，提升處理器頻率也能在一定范圍內(nèi)提升跑分成績(jī)，而核心和線(xiàn)程數(shù)量對(duì)跑分的影響相對(duì)要小一些。