三星3D堆疊技術(shù)打造綠色8GB DDR3內(nèi)存
三星3D堆疊技術(shù)打造綠色8GB DDR3內(nèi)存
三星電子今天宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服務(wù)器用內(nèi)存條，采用最先進(jìn)的Green DDR3 DRAM顆粒，使用3D芯片堆疊技術(shù)“硅通孔”(TSV)打造而來，而且已經(jīng)成功通過了主要客戶的測試。
三星表示，借助3D TSV封裝技術(shù)，這種8GB RDIMM內(nèi)存條相比于傳統(tǒng)產(chǎn)品能節(jié)省最多40%的功耗，而且有利于極大地提高內(nèi)存顆粒的容量密度，幅度至少可達(dá)50%，從而彌補下代服務(wù)器平臺上每個通道對應(yīng)內(nèi)存插槽數(shù)量減少30%的影響。
三星指出，TSV是解決服務(wù)器既需要更大內(nèi)存容量、更高性能，又注重更低功耗這一矛盾問題的最佳途徑。它主要是在硅基片上穿出微米級別直徑的垂直孔洞，然后以銅材料填充，將更多芯片立體式地堆疊在一起，而不像傳統(tǒng)方法那樣通過細(xì)線進(jìn)行水平連接。這種技術(shù)的最大好處就是信號線長度大幅縮短，總體性能并不會比單層顆粒弱。三星正計劃在各種服務(wù)器領(lǐng)域推廣這一新技術(shù)，并準(zhǔn)備將生產(chǎn)工藝從現(xiàn)在的40nm級別推向30nm級別。
三星還預(yù)計，3D TSV技術(shù)有望在2012年全面普及。
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