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2011內(nèi)存顆粒供過(guò)于求現(xiàn)象簡(jiǎn)析

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2011內(nèi)存顆粒供過(guò)于求現(xiàn)象簡(jiǎn)析

  臺(tái)灣市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Digitimes Research認(rèn)為,隨著各大廠商爭(zhēng)相轉(zhuǎn)向新工藝、擴(kuò)大產(chǎn)能,2011年全球DRAM內(nèi)存顆粒的供應(yīng)量將超過(guò)實(shí)際需求量多達(dá)28%,大大超過(guò)2010年的10%左右。

  據(jù)預(yù)計(jì),如果將DRAM內(nèi)存顆粒都按照容量折算成1Gb型號(hào),2011年的全球產(chǎn)量將是大約32.3億顆,年增幅58.8%,這主要源于DRAM制造工藝從40nm級(jí)別普遍升級(jí)到30nm級(jí)別帶來(lái)的成本降低、利潤(rùn)改善,不過(guò)與此同時(shí),市場(chǎng)需求量只會(huì)緩慢增長(zhǎng)到23.2億顆,增幅不過(guò)27.2%,這就出現(xiàn)了9億多顆的剩余。

  DRAM內(nèi)存顆粒的需求增長(zhǎng)主要來(lái)自于智能手機(jī)、液晶電視、機(jī)頂盒、平板機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品,預(yù)計(jì)年需求量將超過(guò)5億顆,相比2010年的不到3億顆猛增67.4%。

  大面積的供過(guò)于求必然會(huì)導(dǎo)致DRAM內(nèi)存顆粒的價(jià)格出現(xiàn)跳水。2010年1Gb DDR3顆粒的平均價(jià)格為2.42美元,2011年或許會(huì)降至1.32美元,2012年更是可能繼續(xù)跌至僅僅0.48美元,內(nèi)存條白菜價(jià)的局面也有可能再次出現(xiàn)。有趣的是,等到2012年的時(shí)候下代DDR4內(nèi)存條也有望投入商用。

  如此一來(lái)DRAM廠商的收入和利潤(rùn)必然大幅縮水,力晶、茂德等這些在工藝上缺乏競(jìng)爭(zhēng)力的廠商可能會(huì)轉(zhuǎn)而把重點(diǎn)放在對(duì)外代工業(yè)務(wù)上。

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