首款3bit 3D閃存SSD 三星850 EVO解析
? 首款采用2bit 3D V-NAND閃存的三星850PRO旗艦級SSD誕生不足半年，三星緊接著推出新一代主打性價比的850 EVO SSD，它采用架構更為先進的3bit 3D V-NAND閃存。這引起SSD用戶的好奇和興趣，3bit 3D V-NAND閃存能給我們帶來什么變化？ 作為840 EVO的替代升級型號，850 EVO延續(xù)原廠主控、閃存、緩存、固件的四位一體優(yōu)勢。和840 EVO的相比，850 EVO的最大亮點無疑是3bit 3D V-NAND閃存，它的單位存儲密度、P/E耐久度較之840 EVO的2D平面閃存有質的提升。
外觀上，850 EVO采用850PRO的主色調和設計風格，除了背后醒目的標簽，正面區(qū)別主要看①850PRO的殼體邊框進行拋光處理，看起來“锃亮锃亮滴”；②外殼的三星LOGO正下方的方形標識，850PRO為紅色，850 EVO則為灰色。
上一代三星840 EVO為了區(qū)分840PRO，前者采用灰色的主色調（后者采用黑色），并且840PRO和840 EVO拉開性能差距。此次850 EVO和850PRO采用同樣的主色調，留給我們一個懸念：850 EVO的性能達到850PRO的水準？
3bit 3D V-NAND閃存長什么樣？它和普通SSD所采用的2D閃存區(qū)別不大，但它的內部構造和普通2D平面閃存有著本質的不同。一塊3bit 3D V-NAND閃存芯片由32個單元層垂直堆疊而成，它并沒有減少單元層尺寸，而且由于采用了更小的碳足跡，此結構密度更高，性能更強。
一款SSD的主控和閃存對性能起到?jīng)Q定性作用，下面我們拆解三星850 EVO 1TB SSD，對它的主控和閃存進行解析：
}主控：和840 EVO、850PRO一致
三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片
三星850 EVO 1TB SSD采用840 EVO、850PRO的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，屬于ARM架構的三核處理器，具備強悍的多任務、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。
}閃存：首款應用消費級SSD的3bit 3D V-NAND?
3bit MLC閃存率先應用在前兩代的三星840系SSD，而在3bit 3D V-NAND閃存，三星再次走在其他廠家前面，首次應用于850 EVO SSD。和采用2bit 3D V-NAND的85OPRO 1TB SSD不同，850 EVO 1TB SSD采用的8顆3D閃存均為同規(guī)格容量；而850PRO 1TB SSD的正反兩面的閃存編號和容量不一。
這款率先采用3bit 3D V-NAND閃存的消費級SSD性能如何？下面我們將用850PRO 1TB、840PRO 512GB SSD、840 EVO 1TB SSD進行性能對比、分析：
■ATTO Disk Benchmark測試
數(shù)據(jù)類型：壓縮型 ??
ATTO Disk Benchmark是一款優(yōu)秀且免費的磁盤基準測試軟件，支持對穩(wěn)定性/突發(fā)性傳輸速率進行讀寫測試，適用于常規(guī)硬盤、RAID、USB閃存盤、移動存儲卡等產(chǎn)品的讀寫性能測試。
三星850 EVO 1TB SSD ATTO 隊列深度4測試
壓縮數(shù)據(jù) 讀寫速度對比
■ CrystalDiskMark持續(xù)讀寫測試
數(shù)據(jù)類型：非壓縮型 ??
CrystalDiskMark是一款簡單易用的硬盤性能測試軟件，但測試項目非常全面，涵蓋連續(xù)讀寫、512K和4KB數(shù)據(jù)包隨機讀寫性能，以及隊列深度（Queue Depth）為32的情況下的4K隨機性能。隊列深度描述的是硬盤能夠同時激活的最大IO值，隊列深度越大，實際性能也會越高。
三星850 EVO 1TB SSD CrystalDiskMark測試
非壓縮數(shù)據(jù) 讀寫速度對比
點評：ATTO和CDM是分別測試出了SSD的非壓縮型和可壓縮型數(shù)據(jù)的順序讀寫速度，是SSD性能的重要參考依據(jù)。從測試得出的數(shù)據(jù)可以看出三星850 EVO 1TB SSD的表現(xiàn)不俗，測試成績與新一代旗艦850PRO 1TB SSD僅有微弱的差距。
相比上一代的840 EVO 1TB SSD而言，最大讀取速度更接近SATA3.0速率極限，而兩款產(chǎn)品均采用三星MEX主控，由此見這點微弱的讀寫速度差距是由閃存顆粒造成的。
隨機讀寫性能是固態(tài)硬盤的關鍵指標，其單位為IOPS，即每秒進行讀寫（I/O接口）操作的次數(shù)。我們從表中看到固態(tài)硬盤的每秒進行讀寫操作的次數(shù)是以萬為單位進行計算，而傳統(tǒng)的機械硬盤不足300 IOPS值。?
■AS SSD Benchmark IOPS對比?
AS SSD Benchmark是一個專門為SSD測試而設計的標準檢測程序，因為它提供了很大的可定制性。
? ? 它的成績顯示可以分為兩種，一種是MB/秒的形式，另一種是IOPS形式。本次測試主要使用這款軟件的IOPS隨機讀寫功能，測試4K-64Thrd多任務隨機讀寫 IOPS值。?
讀寫速度
讀寫IOPS值
點評：在AS SSD測試中，我們的側重點是IOPS值，雖然三星850 EVO 1TB SSD定位非旗艦，但這一項測試中有著比肩旗艦的性能表現(xiàn)，并且以微弱的優(yōu)勢戰(zhàn)勝了上一代840PRO。
當然，細心的用戶會發(fā)現(xiàn)三星850 EVO 1TB SSD在4K讀寫的表現(xiàn)也相當出眾，一改以往三星“主流/入門級別”SSD在4K讀寫表現(xiàn)中規(guī)中矩，這回翻身了！我們將在下一頁對此進行詳細分析：
我們在前面分析三星850 EVO 1TB SSD讀寫速度和隨機讀寫能力(IOPS)，這些數(shù)據(jù)實際上均為順序讀寫，因此它們的測試結果往往偏向最大化。在實際工作和生活中，我們并不是按照順序讀寫SSD里的數(shù)據(jù)，而是根據(jù)用戶的實際需要從SSD的具體某個地方抽取數(shù)據(jù)，這就是4K隨機讀寫速度、4K隨機讀寫IOPS值的由來。
筆者使用CrystalDiskMark以及AS SSD軟件進行4K隨機讀寫測試，對4款SSD做橫向比較，以便可以較好地看出三星850 EVO 1TB SSD的位置。
1、4K隨機讀寫速度：?
4K隨機讀寫速度對比
點評：4款SSD的4K隨機讀取速度，850 EVO一枝獨秀，840 EVO獲得第二名。850PRO、840PRO反倒不如兩位EVO小輩。
到了4K隨機寫入速度，850PRO躍居第一名，850 EVO以微弱差距排名第二，840PRO、840 EVO依次排名第三、第四。
2、4K隨機讀寫IOPS值：
4K隨機讀寫IOPS值對比
點評：4K隨機讀取IOPS值的對比當中，850 EVO獲得第一名，對比其他3款SSD均有不同程度優(yōu)勢。
在4K隨機寫入IOPS值對比，850 EVO也僅弱于850PRO，小幅領先840PRO，大幅超越840 EV0。
小結：如果說讀寫速度、隨機讀寫IOPS值，三星850 EVO 1TB SSD和其他“三位師兄、師弟”打得難分難解。在本次兩項4K測試當中，850 EVO將“4K讀寫速度、4K隨機讀寫IOPS值”的突出性能展現(xiàn)出來，它接近850PR0，小超840PRO、大超840 EVO。
■PCMark8硬盤測試
PCMark8是全面系統(tǒng)且專業(yè)的測試方式，為用戶的PC進行性能評定。它對于操作系統(tǒng)的要求至少是Win7，當然作為專為Win8量身定制的軟件，對于Win8的支持則是最完美的。諸如Vista及WinXP是完全無法運行該軟件的。
PCMark8
PCMark8內置了多個測試項目，其中Storage測試項目針對硬盤性能做出評定，包括兩款游戲以及各種辦公應用測試。分別為《魔獸世界》和《戰(zhàn)地3》的游戲載入測試，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，微軟Office Word、Office Excel以及Office PowerPoint等十項測試。
PCMark8硬盤得分
三星850 EVO 1TB SSD的硬盤得分為4987，較之SATA3.0 SSD的最高分王－－三星840PRO 512GB SSD的4998分略低11分；其硬盤帶寬為283.89MB/s。?
PCMark8硬盤得分對比
PCMark8完全模擬游戲、辦公軟件的應用場景，其硬盤測試惜分如金，往往20分就可將SSD拉開一個檔次。三星840PRO 512GB SSD的得分依然是最高，850 EVO和850PRO 1TB SSD的得分一樣，840 EVO也僅僅落后4分。
點評：PCMark8在SSD測試中越來越受到重視，作為一款權威的綜合型測試軟件，其在每一個子項目都有著絕對的說服力，最后得出的總分能夠讓人更直觀的了解性能表現(xiàn)。
另外的表現(xiàn)方式就是硬盤的速率表現(xiàn)，這款850 EVO 1TB SSD測試出來的硬盤帶寬速率超過了283MB/s，它的實際應用表現(xiàn)相當出色。并且，這個速率往往就是我們復制文件時的平均寫入速率。
本次送測的三星850 EVO 1TB SSD，整體性能和850PRO相當，后者的2bit 3D V-NAND具備eMLC企業(yè)級別閃存的耐久度，當然售價更高。作為840 EVO的升級換代產(chǎn)品，我們難免會拿它做對比。和840 EVO相比，850 EVO的具體進步有哪些？
1、整體性能提高5.25%
從上圖分析可知，850 EVO 1TB SSD對比840 EVO 1TB SSD，它的整體性能提高5.25%。性能提升部分主要來自4K讀寫、4K隨機讀寫（IOPS）值，這是840 EVO SSD無法和850 EVO相提并論的。
2、閃存的耐久度提升
3bit 3D V-NAND閃存較之平面3bit 2D閃存具有更高的耐久度，三星官方表示850 EVO的耐久度翻倍提升（對比840 EVO），其質保售后期限從三年延長至五年。
“840 EVO SSD” VS “850 EVO SSD”
３、突出低容量版本的性能優(yōu)勢
850 EVO的銷售主力將是120GB和250GB版本，3bit 3D V-NAND閃存具備更多的CE數(shù)量，其性能對比840 EVO 120GB和250GB有一定幅度的提升。我們也將在后續(xù)對850 EVO 120GB/250GB/500GB版本跟進測試。
測試平臺配置
寫在最后：在3D閃存技術，三星走在其他閃存廠家的前面，它不但將2bit 3D V-NAND閃存應用在高端850PRO，更將3bit 3D V-NAND閃存應用在主流級別的850 EVO。
從測試結果看，新一代850 EVO SSD具備更強的耐久度，更優(yōu)的4K讀寫性能，或者說：“850 EVO不能稱之為入門級SSD，它的性能和850PRO旗鼓相當?！?/p>
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機械硬盤內部構造 ? https://www.chinafix.com/zt/37639-1.html